詳細說明
傾佳電子作為基本半導體（BASiC Semiconductor）授權的一級代理商與核心戰略合作伙伴，始終致力于為中國及全球的電力電子客戶提供世界頂級的碳化硅（SiC）全產業鏈解決方案。我們在蘇州設立分支機構，正是為了更好地貼近華東這一中國電力電子創新的核心腹地，為您提供從前沿技術選型、產品級3D/熱力學仿真到定制化驅動設計的全方位服務。
行業正迎來深刻的變革，我們堅信碳化硅領域的“三個必然” ：SiC模塊必然全面替代IGBT，SiC分立器件必然全面替代高壓硅基MOSFET，SiC必然全面替代GaN與超結（SJ）MOSFET。同時，我們也將“死磕固變（SST）”與“死磕固斷（SSCB）”作為我們在先進拓撲應用上的核心技術死角突破方向。
為了幫助您在接下來的高頻、高壓、高功率密度產品研發中搶占先機，我為您系統梳理了我們目前可提供的全線碳化硅核心器件及配套驅動方案與典型應用場景：
一、 核心產品全景：從芯片、模塊到驅動的“交鑰匙”方案
1. 工業級全碳化硅功率模塊（SiC MOSFET Modules）
采用基本半導體第三代高性能碳化硅芯片技術，引入高性能 Si3N4 AMB陶瓷基板和高溫焊料，集成NTC溫度傳感器，支持Press-Fit壓接與焊接工藝，具備極低的開關損耗與卓越的高溫 RDS(on) 表現。
34mm 半橋模塊：主推型號 BMF80R12RA3（1200V/80A）。極致緊湊，適合高頻高功率密度應用。
62mm 半橋模塊：主推型號 BMF540R12KHA3（1200V/540A）。14nH極低雜散電感設計，帶Cu基板。
EconoDual? 3 (ED3) 半橋模塊：主推型號 BMF540R12MZA3（1200V/540A）。行業標準封裝直接升級SiC的首選。
Pcore?2 E1B/E2B 模塊：BMH027MR07E1G3 (650V/27mΩ)、BMF011MR12E1G3 (1200V/11mΩ)、BMF008MR12E2G3 (1200V/8.1mΩ)、BMF240R12E2G3 (1200V/5.5mΩ)。
工業級全碳化硅功率模塊
依托先進的封裝工藝與極低的雜散電感設計，全碳化硅功率模塊是實現高頻、高功率密度變換器的核心心臟。
涵蓋所有型號：
BMH027MR07E1G3、BMF011MR12E1G3、BMF008MR12E2G3、BMF240R12E2G3、BMF540R12MZA3、BMF160R12RA3、BMF120R12RB3、BMF80R12RA3、BMF60R12RB3、BMF540R12KHA3、BMF240R12KHB3、BMF360R12KHA3、BMS065MR12EP2CA2、BMCS002MR12L3CG5、BMZ0D60MR12L3G5 。
2. 碳化硅分立器件（SiC Discretes）
基于6英寸晶圓平臺，擁有卓越的FOM (RDS(ON)×QG)，滿足各種散熱與空間限制需求。
SiC MOSFET（B3M/B2M系列） ：覆蓋650V/1200V。提供豐富的封裝形式，包括傳統插件式 TO-247-3/4 (含長/細腳版)、TO-220，以及先進貼片式 TOLL、TOLT（頂部散熱）、TO-263-7、TO-252、QDPAK。代表型號：B3M040120Z, B3M025065H 等。同時提供車規級系列（AB3M/AB2M）。
混合碳化硅器件（BGH系列） ：將傳統硅IGBT與碳化硅肖特基二極管（SiC SBD）合封。代表型號：BGH50N65HF1, BGH75N65HS1。在特定成本約束下實現開通損耗與反向恢復性能的最佳平衡。
碳化硅肖特基二極管（B3D系列） ：覆蓋400V/650V/1200V。包含 B3D120040HC, B3D04065KF, B3D10120H 等，涵蓋TO-247、TO-220、TO-252、TO-263等封裝，VF極低。碳化硅MOSFET（工業級與車規級）
覆蓋650V至1700V全電壓段，提供從傳統插件到先進貼片（TOLL、TOLT、QDPAK等）的極豐富封裝選擇，全面滿足嚴苛的空間與熱力學設計需求。
涵蓋所有型號：
B3M025065H、B3M025065L、B3M025065Z、B3M025065B、B3M025065R、AB3M025065CQ、AB3M025065C、B3M040065L、B3M040065B、B3M040065H、B3M040065Z、B3M040065R、AB3M040065C、B3M008C075Z*、B3M010C075Z、B3M010C075H、B3M025075Z*、B3M040075Z*、B3M006C120Y*、B2M011120HK、B3M011C120H、B3M011C120Y、B3M011C120Z、B3M013C120H、B3M013C120Z、B2M015120N、B3M020120H、B3M020120ZL、B3M020120ZN*、B2M030120Z、B2M030120H、B2M030120R、B2M030120N、B3M035120H、B3M035120ZL*、B3M035120ZN*、B3M040120H、B3M040120R、B3M040120Z、B3M040120ZL、B3M040120ZN、AB3M040120CQ*、B2M040120Z、AB2M040120Z、B2M040120H、B2M040120R、AB2M040120R、B2M040120T、B2M065120T、B2M065120Z、B2M065120H、B2M065120R、B2M080120Z、B2M080120ZL、AB2M080120Z、B2M080120H、AB2M080120H、B2M080120R、AB2M080120R、B2M160120Z、B2M160120H、B2M160120R、B3M010140Y、B3M020140ZL、B3M042140Z、B2M600170R、B2M600170H、B2M600170HH 。
碳化硅肖特基二極管
具備零反向恢復電流特性，顯著降低系統電磁干擾并提升全工況效率。
涵蓋所有型號：
B3D120040HC、B3D04065KF、B3D04065E、B3D04065K、B3D04065KS、B3D06065K、B3D06065KS、B3D06065KF、B3D06065E、B3D08065K、B3D08065KS、B3D08065E、B3D10065K、B3D10065KF、B3D10065KS、B3D10065E、B3D10065F、B3D20065TF、B3D20065HC、B3D20065H、B3D20065K、B3D20065F、B3D30065H、B3D40065HC、B3D40065H、B3D50065H、B3D60065HC、B3D60065H2、B3DM060065N、B3D80065HC、B3D80065H2、B2D02120E1、B3D03120E、B3D05120K、B3D05120E、B3D10120HC、B3D10120H、B3D10120E、B3D10120K、B3D10120F、B3D15120H、B3D20120HC、B3D20120F、B3D20120H、B3D25120H、B3D30120H、B3D30120HC、B3D40120H2、B5D40120H、B3D40120H、B3D40120HC、B3D50120H、B3D50120H2、B3D60120H2、B3D60120HC、B3DM060120N、B3D80120H2、B3D80120HC、B3D80120W、B3DM080120N、B3DM100120N、B3D30140H、B3D40140H、B3D60140HC、B3D60140H2、B3D80140H2、B3D40200H 。
混合碳化硅分立器件
傳統硅基IGBT與碳化硅二極管的完美合封，是在特定成本約束下實現開通損耗與反向恢復性能最佳平衡的利器。
涵蓋所有型號：
BGH50N65HF1、BGH50N65HS1、BGH50N65ZF1、BGH75N65HS1、BGH75N65HF1、BGH75N65ZF1、BGH40N120HS1、BGH75N120HF1 。
3. 專業碳化硅門極驅動與隔離芯片（Bronze Technologies & BASiC IC）
好馬配好鞍，青銅劍技術（基本半導體全資子公司）為您提供最懂SiC的即插即用驅動板與核心ASIC。
即插即用驅動板：
2CP0220T12-ZC01：適配62mm SiC模塊的雙通道驅動，峰值電流±20A，5000Vac絕緣耐壓，集成有源鉗位與VDS短路保護。
2CP0225Txx 系列：專為ED3封裝模塊設計，單通道峰值電流±25A，驅動功率2W，最高支持1700V應用，集成軟關斷與米勒鉗位。
I型三電平驅動板：適配NPC1與ANPC多并聯拓撲（主板+門極板架構），單通道峰值驅動電流高達60A，無CPLD高可靠性設計。
34mm驅動參考設計（BSRD-2427） 。
青銅劍技術（基本半導體全資子公司）深耕功率驅動十余年，為您提供從通用驅動核到適配各類主流模塊封裝的即插即用門極驅動板，完美解決IGBT與碳化硅（SiC）模塊的高效、高可靠性驅動難題。
涵蓋所有驅動器型號矩陣：
即插即用型驅動板（Plug-and-Play Boards）
適配 62mm 封裝模塊：2CP0220T12-ZC01（雙通道，集成有源鉗位與短路保護）、2CP0115T12 系列等。
適配 EconoDUAL? 3 (ED3) 封裝模塊：2CP0225T12、2CP0225T17、2CP0420T12 系列（集成軟關斷與米勒鉗位，最高支持1700V應用）。
適配 PrimePACK? / 寬體大功率模塊：2CP0420T17、2CP0620T17 等高壓大功率系列。
適配 34mm 與 Easy 系列模塊：基于 BSRD-2427-ES01、BSRD-2423-ES01 等專用大電流輸出的碳化硅驅動板參考設計。
特定拓撲定制驅動板：I型三電平驅動板（專為NPC1/ANPC等多并聯拓撲設計，主板+門極板架構，單通道峰值電流高達60A）。
通用型門極驅動核（Driver Cores）
單通道驅動核：1CD0214T17 等系列（設計緊湊，支持1700V以內大容量單管及模塊）。
雙通道驅動核：2D0115T12、2CD0115T12、2D0420T12、2D0420T17 等系列大功率通用門極驅動核。
隔離電源模塊與組件
Q15P2XXYYD 系列單通道/雙通道大功率隔離電源模塊、TR-P15DS23-EE13 等驅動器專用隔離電源變壓器。
驅動器深度匹配應用場景：
新能源發電：風力發電全功率變流器、大功率集中式與組串式光伏逆變器。
智能電網與電能質量：靜止無功發生器（SVG）、有源電力濾波器（APF）、柔性交流輸電系統（FACTS）、先進能量路由器/固態變壓器（SST）與直流微網固態斷路器（SSCB）。
高端工業與儲能裝備：兆瓦級工商業儲能變流器（PCS）、大功率高頻感應加熱、高端全數字電焊機、中高壓大功率變頻器、大型數據中心高頻UPS電源。
交通運輸：軌道交通牽引變流器、機車輔助電源、電動汽車超級充電樁（MCS/兆瓦級快充）。
集成電路芯片（BTD系列） ：
門極隔離驅動IC：BTD5350Mx / BTD25350x / BTD3011R 等。專為SiC MOSFET設計的副方帶米勒鉗位功能、驅動輸出峰值電流可達10A的SOP-8/SOW-16芯片，解決高dv/dt下的串擾誤開通難題。
隔離變壓器（TR-P15DS23-EE13等）。集成電路芯片（含門極隔離驅動與電源芯片）
解決高dv/dt工況下的米勒串擾誤開通難題，為您提供最懂SiC的即插即用核心控制能力。
涵蓋所有型號：
BTD3011R、BTD5350MBPR、BTD5350MCPR、BTD5350MBWR、BTD5350MCWR、BTD5350SBPR、BTD5350SCPR、BTD5350SBWR、BTD5350SCWR、BTD5350EBPR、BTD5350ECPR、BTD5350EBWR、BTD5350ECWR、BTD21520MAWR、BTD21520MBWR、BTD21520SAWR、BTD21520SBWR、BTD21520EAWR、BTD21520EBWR、BTD21520MAPR、BTD21520MBPR、BTD21520SAPR、BTD21520SBPR、BTD21520EAPR、BTD21520EBPR、BTD25350MMBWR、BTD25350MMCWR、BTD25350MSBWR、BTD25350MSCWR、BTD25350MEBWR、BTD25350MECWR、BTL27523R、BTL27523BR、BTL27524R、BTL27524BR、BTP1521F、BTP1521P 。
二、 賦能前沿場景：從“零碳”到“算力”的底層基石
作為您的電力電子硬核戰友，我們不僅提供器件，更提供針對當前最火熱、最嚴苛拓撲的應用級技術輸入。我們的產品已深度匹配以下核心場景：
AI數據中心與高頻通信電源（800V DC平臺）
針對算力中心供電與服務器交流側圖騰柱PFC，我們的 TOLL/TOLT封裝 SiC MOSFET 與 34mm模塊，可大幅推高開關頻率，極大縮減無源磁性器件體積，將系統級效率飆升至99%以上，為大模型算力提供極致的高功率密度供電心臟。
1500V/2000V光伏逆變器與大儲系統（PCS）
面對組串式大功率化趨勢與587Ah等大容量電芯的引入，E1B/E2B、ED3封裝及62mm全碳化硅模塊結合青銅劍三電平ANPC/NPC1驅動板，完美匹配100kW至MW級交直流變換，解決高壓直流側絕緣與高流排布的“坑”，保障25年以上全生命周期的高可靠性。
電動汽車超級快充（MCS / 6C充電）
兆瓦級超充對后級LLC與前級PFC提出極高要求。采用 62mm/34mm SiC模塊 配合帶米勒鉗位的 BTD5350Mx隔離驅動IC，能有效抑制高dv/dt帶來的誤導通，將模塊發揮到極致，實現模塊化、瘦高型、輕量化的超充樁設計。
先進能源路由器（SST）與固態斷路器（SSCB）
這是我們技術攻關的“深水區”。針對固態變壓器級聯H橋結構與高頻隔離變壓器的需求，1200V SiC模塊（BMF540R12MZA3等）具備的低開關損耗特性，是實現中壓互聯與微電網能量調度的不二之選。
高端電焊機、感應加熱與APF（有源電力濾波器）
在這些追求極速動態響應的傳統工業應用中，碳化硅器件的替換可使設備重量與體積下降40%-50%，引領工業裝備的新一輪“瘦身”與效能革命。
我們傾佳團隊（蘇州及西安等地辦公室）不僅能夠為您提供及時的樣片申請和供應鏈保障，還能通過我們熟練的 PLECS/MATLAB 仿真技術，在您研發初期為您提供包含損耗評估、熱阻計算、驅動參數調優在內的保姆級技術協助。
大江東去，浪淘盡。功率半導體的“碳化硅武林”正風起云涌。如果您目前正在進行相關高壓、高功率拓撲的項目預研或產品選型，歡迎隨時與我聯系。
期待與您在電力電子的創新之路上并肩同行！
劉占輝
華東區業務負責人
傾佳電子（Changer Tech）—— 基本半導體授權一級代理商
